Усилители

EPC предлагает делать цифровые усилители на GaN-транзисторах

Теги: #GaN-транзисторы
66e719b5f3f0fa79e61850d04d34ebc7

Стремительное развитие полупроводниковых технологий побуждает производителей все чаще использовать усилители класса D в своих устройствах. Такие усилители, благодаря своему высокому КПД, отлично подходят для Bluetooth-колонок, смартфонов и других подобных гаджетов. Они отличаются небольшими размерами, выделяют меньше тепла и позволяют экономить заряд батареи.

В схемах усилителей D-класса используются силовые кремниевые транзисторы MOSFET. Данный вид транзисторов появился еще в 70-х годах прошлого столетия. На протяжении многих лет у кремниевых компонентов не было конкурентов. Однако нынешние открытия в области силовых полупроводниковых технологий позволяют добиться еще большего КПД при минимальных искажениях звука: в усилителях D-класса возможно задействовать не только MOSFET-транзисторы, но и более прогрессивные GaN-транзисторы, построенные на основе нитрида галлия.

Компания Efficient Power Conversion (EPC) разработала транзисторы eGaN FET с уникальной структурой — на одном кристалле построено два транзистора, которые формируют полумост. Это позволяет добиться очень высокой линейности усиления сигнала ШИМ. Инженеры EPC заявляют, что в усилителях их транзисторы переключаются в несколько раз быстрее мощных MOSFET. Стандартное время задержки для MOSFET — 25 наносекунд, а у новых транзисторов, по словам компании EPC, оно снизится на 80% до 5 наносекунд. Соответственно, и уровень шума будет ниже.

На своей рефренсной плате EPC9106 компания продемонстрировала возможности eGaN FET. Усилитель выдает мощность 150 Вт при импедансе 8 Ом с КПД 96%. Импеданс в 4 Ом дает мощность до 250 Вт, однако КПД снижается до 92%. На полной мощности коэффициент нелинейных искажений и шума не превышает 0,03%, при мощности 50 Вт он составляет 0,006%.

Можно предположить, что новое решение от Efficient Power Conversion для усилителей класса D понравится многим производителям, и в будущем нитрид-галлиевые транзисторы полностью вытеснят MOSFET.

Комментарии

Чтобы оставить комментарий, войдите, пожалуйста.